Введение, Характеристики И Применение ИС Детектора Напряжения (Сброса) ROHM Semiconductor BD525G-1TR

2/28/2024 9:45:00 AM

Краткое описание: Диапазон определения напряжения от 0,9 В до 5 В, приращение 0,1 В, максимальная рабочая температура 85 ℃.

Микросхема детектора напряжения ROHM Semiconductor BD525G-1TR (сброса)

Микросхема детектора напряжения (сброса) ROHM Semiconductor BD525G-1TR представляет собой ИС КМОП-детектора со свободной настройкой времени задержки и n-канальным выходом с открытым стоком. Микросхема воспринимает диапазон напряжения от 0,9 В до 5 В с шагом 0,1 В и работает при температуре до 85°C. Микросхема BD525G-1TR оснащена технологией Nano Energy, точностью задержки ±30 %, типичным сверхнизким потреблением тока 270 нА и выходным током 70 мА. Микросхема детектора упакована в sss5 и имеет размеры 2,90 x 2,80 x 1,25 мм. Микросхема BD525G-1TR используется в потребительских устройствах, требующих измерения напряжения.


Характеристика

  • Нано энергия

  • n-канальный тип выхода с открытым стоком

  • Настройка времени задержки контролируется внешним конденсатором

  • Доступен в размерах 2,90 x 2,80 x 1,25 мм и в упаковке SSOP5.

  • Для потребительских устройств, требующих измерения напряжения


Спецификация

  • Точность обнаружения напряжения:

    • ±1%±5мВ (В(DET) = 0,9 В ~ 1,6 В)

    • ±0,9% (В(DET) = 1,7 В ~ 5 В)

  • Выходной ток 70 мА

  • Диапазон рабочих температур -40℃~85℃

  • Напряжение обнаружения от 0,9 В до 5 В (типовое) с шагом 0,1 В.

  • 270 нА (тип.) сверхнизкое потребление тока

  • Точность задержки ±30% (-40℃~85℃, емкость вывода трансформатора тока ≥1 нФ)

Заявление: Авторские права на эту статью принадлежат оригинальному автору. Репост этой статьи осуществляется исключительно с целью распространения дополнительной информации. Если в информации автора есть какие-либо неточности, пожалуйста, свяжитесь с нами как можно скорее для исправления или удаления. Спасибо за внимание!